骁龙8 Elite Extreme Gen 6发热明显，三星反馈高通需优化性能衰减

三星内部测试发现骁龙8 Elite Extreme Gen 6在高负载下存在明显性能衰减与发热问题，已正式反馈高通要求优化。尽管该芯片采用台积电2nm工艺及Offset PoP封装，峰值频率突破5GHz，但在长时间运行手游或渲染时仍因温度超标强制降频。此前数据显示新封装将升温至105℃的时间延长至15分钟以上，但未能彻底解决持续散热顽疾。