三星、SK海力士升级中国工厂NAND层数至200层以上

三星西安工厂拟升级生产286层V9 NAND，目标今年12月月产5000片晶圆；SK海力士大连工厂计划转向240层及以上产品。受美国出口管制影响，两厂需每年申请设备许可。数据显示长江存储二季度中国NAND份额升至38.5%，三星与SK海力士分别降至33.5%和17%。