三星S28基带改用2纳米，S27沿用4纳米M2700

三星S27及S27+的Exynos版本将改用M2700 5G调制解调器，虽维持4纳米工艺，但功耗效率、传输速度提升且芯片面积缩小4%。该基带支持3GPP Release 18标准并升级卫星通信能力，后续S28系列拟采用2纳米工艺的M2800。经营提示：需关注搭载新基带机型的实际续航表现与上市定价，以评估对线下体验转化的影响。

三星电子系统LSI事业部决定采用2纳米工艺制造下一代外置5G调制解调器M2800系列，计划于2027年完成开发，并用于2028年推出的Galaxy S28系列。该产品将与Exynos 2800以双芯片形式搭载，同时释放部分4纳米产能用于生产HBM底部控制芯片。

三星确定Galaxy S28系列将搭载采用2纳米工艺的M2800基带芯片，预计明年完成开发。今年上市的Galaxy S26仍使用4纳米Shannon 5410，而明年的Galaxy S27将启用改名为M系列的M2700，该芯片通过电压调整优化了功耗与传输速度，面积缩小约4%。